Estos son (fundamentales en la mayoría de los circuitos electrónicos que realizan la función de amplificación).
A partir del primer transistor (Bipolar) se ha ido desarrollando varios tipos de transistores tales como
JFET: transistor de efecto de campo
MOSFET: transistor de campo de oxido metálico
Estos permiten el desarrollo de circuitos integrados (CHIP’S), que reúnen en un solo componente, una multitud de transistores de todo tipo.
Al igual que los diodos de unión, los transistores bipolares se construyen gracias a la unión de cristales semiconductores tipo P y tipo N
Identificación de un transistor
Una forma de identificar es a través de sus 3 terminales de conexión que asoman al exterior por una de las bases de su capsula. Esto puede disponerse de 2 formas
- En línea
- Según los vértices de triangulo imaginario
Cada uno de estos términos esta unido a un cristal semiconductor de tipo P o tipo N. de esta forma nos encontramos con un terminal EMISOR, un terminal BASE y otro COLECTOR.
Según el tipo de unión, se las puede clasificar como:
- PNP
- NPN
Otra forma de identificar es anotar sus referencias para luego consultar sus características en las especificaciones técnicas del fabricante, o bien en el manual de características técnicas del transistor.
Por medio de un método sencillo se puede determinar si es tipo PNP o NPN. Para ello debemos utilizar, un multimetro, seleccionando la función OHMETRO en rango por 100.
Pasos:
- Determinamos cual de las terminales corresponde a la base. Si el transistor está en buen estado, la resistencia entre colector y emisor es siempre muy alta, sin importar la polaridad del instrumento.Con esta verificación, determinaremos que el terminal restante corresponde a la base.
- Una vez localizada la BASE, conectaremos la punta de prueba POSITIVA en la misma y la NEGATIVA en cualquiera de los otros 2 terminales del transistor. Si la resistencia obtenida es muy baja, se trata de un TRANSISTOR tipo PNP, si por lo contrario la resistencia es muy alta, es un transistor NPN. A continuación se indica las medidas de resistencia que se dan en cada caso para los tipos de TRANSISTORES.
Intensidades de corrientes en Transistor
Para analizar este tema nos basaremos en un transistor NPN, actúa más rápido que los PNP. Tal como está polarizado el transistor NPN de la figura, el diodo formado por unión del emisor y la base queda, polarizado directamente con la tensión Vbg, para que esto ocurra será suficiente una tensión mina superior a la del umbral (0,6 V o 0,7V).
Este fenómeno hace que la residencia base, emisor, disminuya considerablemente por la tensión Vbg, esta es de un valor mucho más alto que Vbe, por ende la resistencia entre colector y base.
Tal como pudimos observar en la práctica realizada con diodos, la corriente es capaz de obtener la unión polarizada directamente, así como la unión polarizada en forma inversa, de la forma que la corriente que entra por el emisor (Ie) se acerca bastante a la de colector (Ic) o la corriente que sale de la base es muy pequeña.
La región ocupada por la base es muy pequeña y por ende pose pocos huecos. De esta forma los electrones que emiten el emisor, superan la unión emisor base (polarizada directamente) o En este proceso es probable que uno de los electrones encuentren un hueco libre en la base con el cual combinarse. Sin embargo cuando los electrones superan esta barrera se sienten atraídos por el potencial electrolítico positivo del colector, estableciéndose una corriente considerablemente con este punto.
La corriente de base permite gobernar la corriente que aparece en el colector.
Ganancia de corriente de un Transistor
La ganancia de corriente de un transistor es la relación que existe entre la variación de la corriente del colector y la variación de la corriente de base.
Tención de ruptura
Al igual que ocurre con los diodos, cuando se polarizan inversamente, cualquiera de las uniones de un transistor aparecen pequeñas corrientes inversas, esta no producen la ruptura, siempre que no superen los valores máximos específicos. Se puede presentar 2 casos:
- Tensión inversa colector-base (Vcbo) con emisor abierto
La siguiente figura podemos observar en que el emisor se encuentra abierto y la unión base colector esta polarizado inversamente, con una tención Vcb, esta provoca una circulación de corriente de fuga Icbo. Esta no será peligrosa siempre y cuando no alcance la tensión de ruptura (generalmente comprendida entre 20 y 300V).
- Tención inversa colector-emisor con base abierta
En este caso se aplica una tención Colector - Emisor que es igual al la suma de las tenciones de las 2 fuentes.
Esta marca la diferencia de potencial provoco que un pequeño flujo de electrones emitidos por el emisor se sienten atraídos por le polo positivo de la fuente. Iceo. El valor de esta corriente esta determinado por el valor de la tención COLECTOR – EMISOR.
